تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

چکیده

در این پژوهش، تاثیر لایه­ های روی سولفید به صورت زیگزاگ بر ضریب شکست، ضریب خاموشی و درصد عبور و مقایسه آن با لایه­نشانی صفر درجه همین ماده پرداخته شده است. لایه­های نازک روی سولفید با روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی بر زیر لایه شیشه لایه­نشانی شده­اند. با بررسی ویژگی نوری این نمونه­ها مشاهده شده است که با این روش لایه نشانی(زیگزاگ)، عبور نوری، ضریب جذب و ضریب خاموشی نسبت به حالت صفردرجه افزایش و ضریب شکست آن کاهش پیدا کرد. این نتیجه تاثیر روش GLAD در ویژگی نوری لایه­ های نازک را نشان می­ دهد.

کلیدواژه‌ها