در این پژوهش، تاثیر لایه های روی سولفید به صورت زیگزاگ بر ضریب شکست، ضریب خاموشی و درصد عبور و مقایسه آن با لایهنشانی صفر درجه همین ماده پرداخته شده است. لایههای نازک روی سولفید با روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی بر زیر لایه شیشه لایهنشانی شدهاند. با بررسی ویژگی نوری این نمونهها مشاهده شده است که با این روش لایه نشانی(زیگزاگ)، عبور نوری، ضریب جذب و ضریب خاموشی نسبت به حالت صفردرجه افزایش و ضریب شکست آن کاهش پیدا کرد. این نتیجه تاثیر روش GLAD در ویژگی نوری لایه های نازک را نشان می دهد.
سلمانیان نژاد, حسین, سلمانیان نژاد, حسن, زارعی مقدم, رضا, احسانی, محمدحسین, رضا قلی پور دیزجی, حمید. (1399). تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان. نانومقیاس, 7(3), 68-74.
MLA
حسین سلمانیان نژاد; حسن سلمانیان نژاد; رضا زارعی مقدم; محمدحسین احسانی; حمید رضا قلی پور دیزجی. "تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان". نانومقیاس, 7, 3, 1399, 68-74.
HARVARD
سلمانیان نژاد, حسین, سلمانیان نژاد, حسن, زارعی مقدم, رضا, احسانی, محمدحسین, رضا قلی پور دیزجی, حمید. (1399). 'تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان', نانومقیاس, 7(3), pp. 68-74.
VANCOUVER
سلمانیان نژاد, حسین, سلمانیان نژاد, حسن, زارعی مقدم, رضا, احسانی, محمدحسین, رضا قلی پور دیزجی, حمید. تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان. نانومقیاس, 1399; 7(3): 68-74.
)