ساخت نانوسیم‌های Fe84P16 و بررسی اثر بسامد انباشت برروی خواص مغناطیسی آن‌ها

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 گروه فیزیک-دانشکده علوم-دانشگاه کردستان- سنندج -ایران

2 گروه فیزیک- دانشکده علوم-دانشگاه کردستان- سنندج -ایران

3 گروه فیزیک- دانشکده علوم- دانشگاه کردستان- سنندج- ایران

چکیده

نانوسیم‌‌های Fe84‌P16در قالب اکسید آندی آلومینیم با روش الکترو‌انباشت تحت جریان متناوب در بسامدهای متفاوت
(۱۰۰۰-۵۰ هرتز) ساخته شدند. قالب های اکسید آندی آلومینیم با روش آندایز دو مرحله­ای تهیه شدند. اثر بسامد انباشت و تابکاری حرارتی بر روی ویژگی مغناطیسی و ساختار بلوری  نانوسیم‌‌های بررسی شد. نانوسیم‌‌های ساخته شده با دستگاه­های مغناطوسنج نیروی گرادیان اتمی (AGFM)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، طیف­ سنجی پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف ­سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس (EDX) آنالیز شدند. تصویر SEM  نشان داد که قطر نانوسیم‌‌ها ۳۰-۵۰  نانومتر است و از  XRD ساختار بلوری آنها مکعبی مرکز حجمی بدست آمد. ویژگی مغناطیسی نانوسیم‌ها (میدان وادارندگی و نسبت مربعی)  با دستگاه AGFM مطالعه شد. نتایج بدست آمده از بررسی اثر بسامد بر   ویژگی مغناطیسی نشان داد که نانوسیم تهیه شده در بسامد انباشت ۲۰۰ هرتز دارای بیشترین میدان وادارندگی (۱۱۴۹ اورستد) است و همچنین، مشاهده شد که با افزایش بسامد  نسبت مربعی افزایش می­یابد. برای مطالعه اثر تابکاری حرارتی، نمونه­ها در گستره دمایی ۶۰۰-۳۰۰ درجه سانتیگراد تابکاری شدند. نتایج نشان داد که تابکاری نمونه‌ها باعث افزایش بلورینگی و در نتیجه بهبود ویژگی مغناطیسی آنها می­ شود.

کلیدواژه‌ها