: یکی از راه‌های بهبود بازده و پایداری سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، مهندسی سطح‌ها و کنترل ریخت‌شناسی لایه پروسکایت است که به‌شدت روی عملکرد فتوولتاییک سلول تأثیر می‌گذارد. یکی از این راه‌ها استفاده از روش سنتز و لایه‌نشانی مناسب برای دست‌یابی به لایه با کیفیت است. در این کار، چهار روش بهینه‌شده (S1: روش دو مرحله‌ای بر پایه محلول، S2: روش تک‌مرحله‌ای با ضد حلال، S3: روش تک‌مرحله‌ای بدون ضد حلال، و S4: روش تلفیقی محلول به کمک تبخیری) برای سنتز پروسکایت ترکیبی CH3NH3PbI3-XClX به‌کار برده شده است. از بررسی عملکرد سلول‌های ساخته‌شده، دینامیک انتقال بار و ریخت‌شناسی سطح پروسکایت می‌توان نتیجه گرفت که روش S4 موجب سنتز لایه پروسکایت فشرده و بدون نقص با پوشش سطح عالی است و بهترین عملکرد را در مقایسه با سایر روش‌ها نشان می‌دهد (با چگالی جریان mA/cm2 70/13 ، ولتاژ مدار بازVolt 1، فاکتور پرشدگی 63/0 و بازده 82/8 %). اما از نظر تجاری‌سازی و اقتصادی روش S3 به مواد و انرژی کمتری نیاز دارد و مقرون به‌صرفه‌تر است.
دوست حسینی, فاطمه, بهجت, عباس, محسنی, حمیدرضا. (1399). بررسی اثر روش‌های لایه نشانی لایه جاذب بر عملکرد سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با هالوژن ترکیبی بدون ماده انتقال‌دهنده حفره. نانومقیاس, 7(4), 18-25.
MLA
فاطمه دوست حسینی; عباس بهجت; حمیدرضا محسنی. "بررسی اثر روش‌های لایه نشانی لایه جاذب بر عملکرد سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با هالوژن ترکیبی بدون ماده انتقال‌دهنده حفره". نانومقیاس, 7, 4, 1399, 18-25.
HARVARD
دوست حسینی, فاطمه, بهجت, عباس, محسنی, حمیدرضا. (1399). 'بررسی اثر روش‌های لایه نشانی لایه جاذب بر عملکرد سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با هالوژن ترکیبی بدون ماده انتقال‌دهنده حفره', نانومقیاس, 7(4), pp. 18-25.
VANCOUVER
دوست حسینی, فاطمه, بهجت, عباس, محسنی, حمیدرضا. بررسی اثر روش‌های لایه نشانی لایه جاذب بر عملکرد سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با هالوژن ترکیبی بدون ماده انتقال‌دهنده حفره. نانومقیاس, 1399; 7(4): 18-25.
)