انجمن نانوفناوری ایران نانومقیاس 2423-5628 5 1 2018 03 21 Theoretical Study of the SnS2 Nanostructure Performance as a Buffer Layer in CuIn1-xGaxS(e)2 Solar Cell and its Comparison with CdS بررسی نظری عملکرد نانوساختارSnS2 بعنوان لایه بافر در سلول خورشیدی CuIn1-xGaxSe2 و مقایسه آن با CdS 99 104 46477 FA مریم حقیقی پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران مهران مین باشی دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، تهران نیما تقوی نیا پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران سید محمد مهدوی پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران امیرحسین احمدخان کردبچه دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، تهران Journal Article 2020 10 28 In this paper, firstly, the CIGSe solar cell with a different Ga/Ga In ratio was modeled based on experimental data using the SCAPS software. Then, the SnS2 composition was proposed as a suitable buffer for the elimination of toxic CdS compounds. According to the modeling results, SnS2 is a very suitable material for substitution of the toxic CdS. در این مقاله، ابتدا سلول خورشیدی CIGSe با نسبت مختلف Ga/Ga In بر اساس داده های تجربی با استفاده از نرم افزار SCAPS مدلسازی شده است. سپس، ترکیب SnS2 بعنوان بافری مناسب جهت حذف ترکیب سمی CdS مطرح شده است. با توجه به نتایج مدلسازی، SnS2 ماده ای بسیار مناسب جهت جایگزینی با ماده سمی CdS می باشد. سلول خورشیدی CIGS(e) نرم افزار SCAPS لایه بافر لایه نانوساختار SnS2 خمش نوار رسانش https://nanomeghyas.ir/article_46477_b7fb2884d40fa347e723d7edb3a151d2.pdf