TY - JOUR ID - 46962 TI - تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویه‌ای خراشان JO - نانومقیاس JA - NS LA - fa SN - AU - سلمانیان نژاد, حسین AU - سلمانیان نژاد, حسن AU - زارعی مقدم, رضا AU - احسانی, محمدحسین AU - رضا قلی پور دیزجی, حمید AD - دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران Y1 - 2020 PY - 2020 VL - 7 IS - 3 SP - 68 EP - 74 KW - روی سولفید KW - لایه نشانی KW - نانوساختار KW - روش رشد زاویه‌ای خراشان DO - N2 - در این پژوهش، تاثیر لایه­ های روی سولفید به صورت زیگزاگ بر ضریب شکست، ضریب خاموشی و درصد عبور و مقایسه آن با لایه­نشانی صفر درجه همین ماده پرداخته شده است. لایه­های نازک روی سولفید با روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی بر زیر لایه شیشه لایه­نشانی شده­اند. با بررسی ویژگی نوری این نمونه­ها مشاهده شده است که با این روش لایه نشانی(زیگزاگ)، عبور نوری، ضریب جذب و ضریب خاموشی نسبت به حالت صفردرجه افزایش و ضریب شکست آن کاهش پیدا کرد. این نتیجه تاثیر روش GLAD در ویژگی نوری لایه­ های نازک را نشان می­ دهد. UR - https://nanomeghyas.ir/article_46962.html L1 - https://nanomeghyas.ir/article_46962_524ff511dea78cc4654b619af167843c.pdf ER -