TY - JOUR ID - 46525 TI - سپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن JO - نانومقیاس JA - NS LA - fa SN - AU - فرخ نژاد, محسن AU - اسماعیل زاده, مهدی AD - دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران Y1 - 2016 PY - 2016 VL - 3 IS - 2 SP - EP - KW - تابع گرین غیرتعادلی KW - نانونوار سیلیسین KW - میدان تبادلی KW - میدان الکتریکی ناهمگن DO - N2 - با بکار بردن روش تابع گرین غیر تعادلی، خواص ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین بررسی شده است. در غیاب میدان تبادلی، رسانش الکتریکی می‌تواند بوسیله میدان الکتریکی ناهمگن تنظیم شود. نانو نوار سیلیسین در این حالت به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی چند دیجیتاله عمل می‌کند. با قرار دادن زیر لایه فرومغناطیس در نانو نوار سیلیسین در آن میدان‌های تبادلی القاء می‌شود. علاوه برآن، ما یک میدان الکتریکی ناهمگن با بکاربردن میدان‌های الکتریکی خارجی بطور مستقل بر روی هر دو لبه نانو نوار سیلیسین برای دستکاری خواص رسانش الکترونی وابسته به اسپین بکار می‌بریم. ما دریافتیم که قطبش اسپینی کامل می‌تواند در حضور میدان الکتریکی ناهمگن و میدان تبادلی اتفاق بیفتد و نانو نوار می‌تواند به عنوان اسپین فیلتر کامل عمل کند. راستای اسپین الکترون‌های عبوری می‌تواند به آسانی بوسیله معکوس کردن راستای میدان الکتریکی در لبه‌های نانو نوار تغییر داده شود. همچنین در این مورد، راستای قطبش اسپینی می‌تواند با تغییر دادن انرژی فرمی الکترون تنظیم شود.   UR - https://nanomeghyas.ir/article_46525.html L1 - https://nanomeghyas.ir/article_46525_42d210f1ad5be0fa98496d7c3f00fe39.pdf ER -