TY - JOUR ID - 46477 TI - بررسی نظری عملکرد نانوساختارSnS2 بعنوان لایه بافر در سلول خورشیدی CuIn1-xGaxSe2 و مقایسه آن با CdS JO - نانومقیاس JA - NS LA - fa SN - AU - حقیقی, مریم AU - مین باشی, مهران AU - تقوی نیا, نیما AU - مهدوی, سید محمد AU - کردبچه, امیرحسین احمدخان AD - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران AD - دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، تهران Y1 - 2018 PY - 2018 VL - 5 IS - 1 SP - 99 EP - 104 KW - سلول خورشیدی CIGS(e) KW - نرم افزار SCAPS KW - لایه بافر KW - لایه نانوساختار SnS2 KW - خمش نوار رسانش DO - N2 - در این مقاله، ابتدا سلول خورشیدی CIGSe با نسبت مختلف Ga/Ga In بر اساس داده های تجربی با استفاده از نرم افزار SCAPS مدلسازی شده است. سپس، ترکیب SnS2 بعنوان بافری مناسب جهت حذف ترکیب سمی CdS مطرح شده است. با توجه به نتایج مدلسازی، SnS2 ماده ای بسیار مناسب جهت جایگزینی با ماده سمی CdS می باشد. UR - https://nanomeghyas.ir/article_46477.html L1 - https://nanomeghyas.ir/article_46477_7be46ca2a2f42ade373c3f76b189246a.pdf ER -