%0 Journal Article %T تأثیر شرایط رشد بر آرایه نانومیله‌های همراستای ZnO %J نانومقیاس %I انجمن نانوفناوری ایران %Z 2423-5628 %A شاهی, ندا %A رحمتی, علی %A ایرانمنش, پروانه %D 2019 %\ 01/21/2019 %V 5 %N 4 %P 355-368 %! تأثیر شرایط رشد بر آرایه نانومیله‌های همراستای ZnO %K نانوساختار یک بعدیZnO %K تجزیه گرمایی %K بازپخت %K لایه جوانه‌زنی ZnO %K کندوپاش مگنترونی %K آرایه نانومیله‌های همراستا %R %X در کار حاضر، نانوساختارهای یک بعدی همراستا یا نانومیله‌های ZnO به روش نهشت حمام شیمیایی در دماهای کمتر از oC120 به کمک لایه‌جوانه‌زنی در شرایط مختلف مانند دما و غلظت حمام، ضخامت لایه جوانه‌زنی و بازپخت آن رشد کرده‌اند. ویژگی‌های ساختاری، ریختی و شیمیایی، و اپتیکی آرایه نانومیله‌های ZnO به ترتیب به وسیله پراش سنجی پرتوX ، میکروسکوپ الکترونی روبشی- گسیل میدانی بهمراه طیف‌سنجی پرتو X با پاشندگی انرژی FE-SEM/EDX و طیف سنجی جذبی UV-Vis-near IR بررسی می‌شوند. عملیات حرارتی پس از سنتز نانومیله‌ها افزایش در کیفیت بلوری نانومیله‌های رشد یافته با جهت‌گیری ترجیحی عمودی C به دنبال دارد. ارتفاع، قطر میانگین و چگالی نانومیله‌های به شدت همراستا بر لایه جوانه‌زنی ZnO به ترتیب در حدود nm190، nm52-31 وrods/µm2413-290 می‌باشند. بازپخت نانومیله‌ها در دمای oC400 باعث کاهش انرژی گاف نواری از مقدار eV29/3 برای نانومیله‌ها بدو-رشد به مقدار eV19/3 می‌شود. افزایش دمای حمام شیمیایی تا oC110 باعث جهت‌گیری رندوم نانومیله‌ها و کاهش انرژی گاف نواری می‌شود. بازپخت لایه جوانه‌زنی در بازه دمایی oC600-200 باعث کاهش در ارتفاع نانومیله‌ها، افزایش در قطر متوسط و کاهش در تراکم و همینطور کاهش در انرژی گاف نواری می‌شود. کاهش در ضخامت لایه جوانه‌زنی باعث کاهش در قطر نانومیله‌ها و افزایش تراکم آن‌ها می‌شود. %U https://nanomeghyas.ir/article_46567_61e00e297cd9f91bde06a282f3fb1bc3.pdf