%0 Journal Article %T اثر هندسه‌ی تماس بر رفتار جریان -ولتاژ در اتصالات تک-مولکولی %J نانومقیاس %I انجمن نانوفناوری ایران %Z 2423-5628 %A رمضانی ا کبرآبادی, سعیده %A رحیم پور سلیمانی, حمید %D 2015 %\ 09/23/2015 %V 2 %N 3 %P - %! اثر هندسه‌ی تماس بر رفتار جریان -ولتاژ در اتصالات تک-مولکولی %K اتصالات مولکولی %K تابع گرین غیرتعادلی %K نظریه هاکل گسترش یافته %K هندسه اتصالات %R %X در این مقاله، ترابرد الکترون در یک سیستم مولکولی فلز/مولکول/فلز شامل مولکول بای فنیل دی سیئول و الکترودهای طلا، برای سه هندسه‌ی اتصال مختلف بررسی شده است. در این پژوهش هامیلتونی مولکول با استفاده از روش هاکل محاسبه شده است. فرمول‌بندی مورد استفاده بر پایه روش تابع گرین غیرتعادلی و در چارچوب فرمول‌بندی لاندائو و بوتیکر می‌باشد. نمودارهای ضریب عبور و جریان-ولتاژ، برای سه ساختار هندسی گوناگون محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهند که انتقال الکترون به شدت تحت تاثیر اثر تداخل کوانتومی امواج گذرنده و هندسه فصل مشترک مولکول و الکترودها است. دامنه جریان در حالت متقارن بیش‌تر از دو حالت‌‌ غیرمتقارن می‌باشد که دلیل این امر اثر تداخل کوانتومی امواج الکترونی گذرنده از شاخه‌های گوناگون مولکول است. %U https://nanomeghyas.ir/article_46565_ca6cf0e9470d8a66950838e658514f2d.pdf