@article { author = {Doosthosseini, F. and Behjat, A.}, title = {Improved Performance of QDSSCs by Co-sensitization of TiO2 Electrodes with PbS and CdS Quantum Dots}, journal = {Nanoscale}, volume = {2}, number = {2}, pages = {-}, year = {2015}, publisher = {}, issn = {2423-5628}, eissn = {2423-5628}, doi = {}, abstract = {In this work, quantum dots of different materials were used to fabricate the sensitized solar cells. The successive ionic layer adsorption and reaction SILAR method was used to synthesise CdS and PbS QD´s. By changing the percentages of the material or changes in the number of layers the performance of individual cells was compared. Moreover, solar cells by combination of these cells so-called co-sensitized solar cells were fabricated and characterized. The use of narrow band gap semiconductors such as PbS may expand the light absorption range to the near-infrared region in quantum-dot-sensitized solar cells QDSCs, increasing the generated photocurrent. However, the use of PbS as a sensitizer in QDSCs causes some problems of stability and high recombination. Here, it is shown that the direct growth of a CdS layer on previously deposited PbS minimizes these problems. An increase in short-circuit current density up to 8.24 mA/cm2and the higher efficiency of 1.25 for the hybrid PbS/CdS QDSCs were obtained, compared to that of PbS QDSCs, using polysulfide electrolyte in both cells.}, keywords = {Quantum dots sensitized solar cell,titanium dioxide nano-particles,Quantum dots}, title_fa = {بهبود عملکرد سلول‌های خورشیدی حساس‌شده با نقاط کوانتومی با حساس‌کردن الکترود‌های TiO2 با دو نوع نقطه کوانتومی PbS و CdS}, abstract_fa = {استفاده از نیمرسانا‌های با گاف نواری باریک مانند سولفید سرب PbS می‌تواند محدوده جذب نور را در سلول‌های خورشیدی حساس‌شده با نقاط کوانتومی به سمت ناحیه فروسرخ نزدیک توسعه دهد، که از این طریق می‌توان فوتوجریان تولید شده در سلول را افزایش داد. از طرف دیگر کاربرد PbS به ‌عنوان حساس‌کننده در این نوع سلول‌ها موجب مشکلات ناپایداری و بازترکیب بالا می‌شود. با ساخت و مشخصه‌یابی سلول‌های حساس‌شده با نقاط کوانتومی PbS طی تعداد سیکل-های متفاوت مشاهده شد که سلول‌های ساخته شده دارای چگالی جریان اتصال کوتاه Jsc و ولتاژ مدار باز Voc بسیار پایینی هستند. لذا اثر ترتیب کاربرد دو نوع نقطه کوانتومی سولفید سرب PbS و سولفید کادمیوم CdS در فوتوآند سلول به‌صورت FTO/TiO2/PbS/CdS و FTO/TiO2/CdS/PbS بررسی شد. بدین منظور یک لایه CdS به روش واکنش و جذب لایه یونی متوالی SILAR روی نقاط کوانتومی PbS رسوب‌گذاری شد. نتایج نشان می‌دهد این لایه به-عنوان لایه محافظ عمل می‌کند و تا حدی مشکلات ناپایداری و بازترکیب را مرتفع می‌کند. بعلاوه افزایش قابل توجه چگالی جریان اتصال کوتاه تا میزان mA/cm2 24/8 نیز برای سلول‌های خورشیدی ساخته ‌شده هیبریدی حساس‌شده با دو نوع نقطه کوانتومی PbS/CdS در مقایسه با سلول‌های حساس‌شده با تنها یک نوع نقطه کوانتومی PbS حدود mA/cm2 64/2 به‌دست آمد. در هر دو سلول از الکترولیت پلی‌سولفید استفاده شد. بازده سلول خورشیدی حساس‌شده هیبریدی تحت شرایط 1sunAM 1.5 G, 100 mA/cm2 به مقدار 25/1 رسید. این بازده بیش از بازده سلول‌های خورشیدی حساس-شده با یک نوع نقطه کوانتومی است.  }, keywords_fa = {سلول‌های خورشیدی حساس‌شده با نقاط کوانتومی,نانوذرات دی‌اکسید تیتانیوم,نقاط کوانتومی}, url = {https://nanomeghyas.ir/article_46710.html}, eprint = {https://nanomeghyas.ir/article_46710_a3b898845accdea22e13ac3fe05a6811.pdf} }