Toggle navigation
صفحه اصلی
مرور
شماره جاری
بر اساس شماره‌های نشریه
بر اساس نویسندگان
بر اساس موضوعات
نمایه نویسندگان
نمایه کلیدواژه ها
اطلاعات نشریه
درباره نشریه
اهداف و چشم انداز
اعضای هیات تحریریه
اصول اخلاقی انتشار مقاله
بانک ها و نمایه نامه ها
پیوندهای مفید
پرسشهای متداول
فرایند پذیرش مقالات
اطلاعات آماری نشریه
اخبار و اعلانات
راهنمای نویسندگان
ارسال مقاله
داوران
تماس با ما
ورود به سامانه
ورود به سامانه
ثبت نام
English
کلیدواژه‌ها =
نانو ترانزیستور اثر میدان خازن منفی
تعداد مقالات:
1
مطالعه نانو ترانزیستور خازن-منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی In2Se3
دوره 8، شماره 4، دی 1400، صفحه
1-11
مهدی پورفتح؛ مریم سلیمانی
مشاهده مقاله
اصل مقاله
1.67 M
مقالات آماده انتشار
شماره جاری
شماره‌های پیشین نشریه
دوره 10 (1402)
دوره 9 (1401)
دوره 8 (1400)
دوره 7 (1399)
دوره 6 (1398)
دوره 5 (1397)
دوره 4 (1396)
دوره 3 (1395)
دوره 2 (1394)
)