بلور فوتونی یک بعدی تشدیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی InAs/InGaAs : ساختاری با پاسخدهی تنظیم پذیر برای کاربردهای مخابرات نوری

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 گروه، گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه صنعتی ارومیه، ارومیه

2 دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

چکیده

در این مقاله، دو ساختار بلور فوتونی تشدیدی پیشنهاد میشود که پاسخ نوری آنها افزون بر مدولاسیون تابع دی الکتریک در
بلور، وابسته به اندرکنش تحریکهای درونی با امواج تابیده به ساختار است. لایههای متناوب GaAs )به عنوان لایه سد( و نقاط
کوانتومی InAs/InGaAs )لایه دوقطبی فعال( بهعنوان بلوکهای اصلی تشکیل دهنده بلورها انتخاب شدهاند. نظم بلوری ساختارها
با وارد کردن لایههای نقص عمدی بهم ریخته شده است. روش ماتریس انتقال برای بررسی مشخصههای نوری بلورها مورد استفاده
قرار گرفته و به منظور مدلبندی شرایط واقعی، نقش پذیرفتاری موثر اکسایتونی و عوامل پهن شدگیهای همگن و ناهمگن نیز لحاظ
شده که در مطالعات پیشین بسیار کمتر مورد توجه بودهاند. وابستگی پاسخ دهی نمونه ها )چه از پهنا و گستره طول موجی ناحیه باند
توقف و مدهای تشدیدی( به پارامترهای ساختاری همچون تعداد لایههای تناوبی، ضخامت لایههای سد و نقطه کوانتومی و همچنین،
مقدار همگن بودن لایهها در گام اول مورد بررسی قرار میگیرد. پس از استخراج مقادیر بهینه، تنظیم پذیری مشخصههای نوری با
عوامل خارجی همچون دمای بلور و زاویه تابش نور به آن بصورت منسجم بررسی میشوند. نتایج نشانگر پتانسیل بالای ساختارهای
پیشنهادی برای کاربردهایی همچون فیلترها، تفکیک کننده های فرکانسی و سویچهای تمام نوری تنظیم پذیر هستند.

کلیدواژه‌ها