با بکار بردن روش تابع گرین غیر تعادلی، خواص ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین بررسی شده است. در غیاب میدان تبادلی، رسانش الکتریکی می‌تواند بوسیله میدان الکتریکی ناهمگن تنظیم شود. نانو نوار سیلیسین در این حالت به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی چند دیجیتاله عمل می‌کند. با قرار دادن زیر لایه فرومغناطیس در نانو نوار سیلیسین در آن میدان‌های تبادلی القاء می‌شود. علاوه برآن، ما یک میدان الکتریکی ناهمگن با بکاربردن میدان‌های الکتریکی خارجی بطور مستقل بر روی هر دو لبه نانو نوار سیلیسین برای دستکاری خواص رسانش الکترونی وابسته به اسپین بکار می‌بریم. ما دریافتیم که قطبش اسپینی کامل می‌تواند در حضور میدان الکتریکی ناهمگن و میدان تبادلی اتفاق بیفتد و نانو نوار می‌تواند به عنوان اسپین فیلتر کامل عمل کند. راستای اسپین الکترون‌های عبوری می‌تواند به آسانی بوسیله معکوس کردن راستای میدان الکتریکی در لبه‌های نانو نوار تغییر داده شود. همچنین در این مورد، راستای قطبش اسپینی می‌تواند با تغییر دادن انرژی فرمی الکترون تنظیم شود.
فرخ نژاد, محسن, اسماعیل زاده, مهدی. (1395). سپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن. نانومقیاس, 3(2), -.
MLA
محسن فرخ نژاد; مهدی اسماعیل زاده. "سپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن". نانومقیاس, 3, 2, 1395, -.
HARVARD
فرخ نژاد, محسن, اسماعیل زاده, مهدی. (1395). 'سپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن', نانومقیاس, 3(2), pp. -.
VANCOUVER
فرخ نژاد, محسن, اسماعیل زاده, مهدی. سپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن. نانومقیاس, 1395; 3(2): -.