بررسی اثر آهارانوف- بوهم بر رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی خمیده

نویسندگان

1 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

2 مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

چکیده

در این مقاله در رهیافت بستگی قوی و همچنین تقریب نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافین دسته صندلی و زیگزاگ تک نواری تخت و خمیده‌ی متصل به دو هادی فلزی در حضور و غیاب میدان مغناطیسی می پردازیم. برای مورد دسته صندلی با استفاده از روش باز بهنجارش، هامیلتونی هر حلقه بنزنی شامل شار مغناطیسی عبوری را به هامیلتونی مؤثر یک مولکول دو اتمی تقلیل می دهیم. همچنین میدان مغناطیسی را با وارد کردن ضرایب فاز وابسته به شار در انرژی های پرش الکترون پیوندهای مربوطه در مسئله لحاظ می کنیم و بالاخره محاسبات عددی مربوط به رسانندگی الکترونی را با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت لانداؤر انجام می دهیم. نتایج نشان می دهد که اعمال میدان مغناطیسی گاف های جدیدی در طیف رسانش نانو نوار دسته صندلی ایجاد کرده که پهنای آنها به میزان خمیدگی نانو نوار وابسته است. همچنین مقدار رسانش در ناحیه ی گاف مرکزی برای مورد دسته صندلی حساسیت بیشتری نسبت مورد زیگزاگ به مقدار خمیدگی و میدان مغناطیسی نشان می دهد.
 

کلیدواژه‌ها