بررسیویژگینیمفلزی تکالیهSiC آالیشیافته بااتمهایمنگنز به منظور کاربرددرنانو اسپینترونیک

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک، دانشگاه خوارزمی، تهران

2 پژوهشکده علوم کاربردی، دانشگاه خوارزمی، کرج

چکیده

در این پژوهش، ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تک الیه SiC آالیش یافته با اتمهای منگنز مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج مربوط به ویژگی الکتریکی نشان میدهد که تک الیه SiC خالص، بر خالف گرافین خالص، دارای گاف نواری قابل توجهی است، که باعث کابرد آن در صنعت الکترونیک میشود. پایدارترین ساختار با در نظر گرفتن اتمهای منگنز بر ر اتمهای کربن، اتم سیلیسیم و مرکز شش ضلعی با انجام واهلش کامل موقعیتهای اتمی و پارامترهای شبکه، مشخص شد. نتایج محاسبات نشان میدهد که پایدارترین حالت این ترکیب برای حالتی است که اتمهای منگنز روی اتمهای کربن قرار میگیرند. بنابراین، برای این ساختار، ویژگی الکترونی و مغناطیسی محاسبه شده است. نمودارهای چگالی حاالت جزئی و کلی بیانگر وجود ویژگی نیم-فلزی در این ترکیب است. در نتیجه از این تک الیه میتوان در ساخت قطعات نانواسپینترونیکی و شیرهای اسپینی استفاده کرد. همچنین در این مقاله تالش شده که با رسم نمودارهای ساختار نواری وابسته به اسپین و مقایسه آن با چگالی حاالت جزئی، سازوکار ایجاد خاصیت نیم-فلزی در این مواد مورد بررسی قرار گیرد.

کلیدواژه‌ها