فهرست

بررسی تاثیرساختاریاخته واحدبرخواص اپتیکی سیلیسین

نشریه: سال سوم -شماره2- تابستان 1395 - مقاله 7   صفحات :  109 تا 112



کد مقاله:
nm-234

مولفین:
وحیده کاظم لو
آرش فیروزنیا: دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه،گروه فیزیک
کاظم جمشیدی قلعه: دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه،گروه فیزیک


چکیده مقاله:

در این مقاله، اثر پیکربندی انحنای یاخته واحد نسبت به صفحه دو بعدی روی تابع دی الکتریک در سیلیسین بررسی شده است. رفتار ﻃﯿﻒ جذبی وپاشندگی ضریب شکست با استفاده از روش ﻧﻈﺮﯾﻪ ﺗﺎﺑﻌﯽ ﭼﮕﺎﻟﯽ برحسب انرژی فوتون تابشی برای انحناءهای مختلف نمایش داده شده است. نتایج نشان می دهند که، برای طول پیوند ثابت، با افزایش زاویه انحنای یاخته واحد از صفحه، جذب و ضریب شکست افزایش می یابد. بعلاوه، قله های جذب و ضریب شکست به سمت طول موجهای بلندتر جابه¬جا می شود. در این راستا، رفتارطیف جذبی و پاشندگی ضریب شکست اپتیکی به ازاء انحناءهای مختلف رسم شده اند. کاهش گاف انرژی با افزایش انحناء ی یاخته واحد دلیل فیزیکی رفتارهای فوق است.


Article's English abstract:

In this paper, the effect of the buckled configuration on dielectric function of silicene is investigated. The behavior of the optical absorption spectrum and the refractive index dispersion are studied using the density functional theory in terms of incident photon energy at different buckling heights. Results are shown that for the fixed bond length, increasing the buckling height in unit cell increases the absorption and the refractive index. In addition, their peaks shift toward the longer wavelengths red shift. For this, the behavior of the optical absorption spectrum and refractive index dispersion at different buckling heights are illustrated. Reducing the band gap with increasing the buckling height is the physical interpretation of the behaviors.


کلید واژگان:
خواص اپتیکی، زاویه انحنای یاخته واحدازصفحه، سیلیسین،ضریب دی الکتریک،ﻧﻈﺮﯾﻪﺗﺎﺑﻌﯽﭼﮕﺎﻟﯽ

English Keywords:
Buckled, Density functional theory, Dielectric function, Optical properties, Silicene

منابع:

English References:
[1]K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos,I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, “Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films”, Science, vol. 306, pp. 666–669, 2004. [2] N. D. Drummond, V. Z´olyomi, and V. I. Fal’ko, “Electrically tunable band gap in silicene”, Physical Review B,vol. 85, pp. 075423, 2012. [3] G.G. Guzmán-Verri, L.C. Lew Yan Voon, “Electronic structure of silicon-based nanostructures”, Physical Review B., vol. 76 (7), pp.075131, 2007. [4] L. Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti, M. Fanciulli, M. Dubey, A. Molle, D.Akinwande, “Silicene Field-Effect Transistors Operating at Room Temperature”, Nature Nanotechnology, vol. 10, pp. 227-231, 2015. [5] A. Kara, C. Léandri, M.E. Dávila, P. de Padova, B. Ealet, H. Oughaddou, B. Aufray, G.L.Lay, “Physics of Silicene Stripes”, J. Supercond. Novel Magnetism,vol. 22, pp. 259-263, 2009. [6] Z. Ni, Q. Liu, K. Tang, J. Zheng, J. Zhou, R. Qin, Z. Gao, D. Yu, and J. Lu, “Tunable Band Gap in Silicene and Grmanene”, Nano Lett., vol. 12, pp. 113-118, 2011. [7] J.-A. Yan, S.-P.ao, R. Stein, and G. Coard, “Emergence of the nematic electronic state in FeSe”,Phys. Rev. B, vol. 91, pp. 155106, 2015. [8] S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Aktu¨rk, H. Shahin, and S. Ciraci , “Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium”, Phys. Rev. Lett. , vol. 102(23), pp.236804, 2009. [9] S. Sharma, C. Ambrosch-Draxl, “Linear and Second-Order Optical Response from First Principles”, PhysicaScripta. vol. T109, pp. 128–134, 2004.



فایل مقاله
تعداد بازدید: 928
تعداد دریافت فایل مقاله : 63



طراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورکطراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورک