فهرست

تاثیر اندازه و موقعیت نقص روی اثر الکترواپتیک مربعی نقطه کوانتومی کروی GaN/AlGaN

نشریه: بهار ۱۳۹۷ - مقاله 6   صفحات :  47 تا 55



کد مقاله:
nm-297

مولفین:
محمد کوهی
علی واحدی: دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز - گروه فیزیک
ابوالفضل اکبرزاده: دانشگاه علوم پزشکی تبریز - دانشکده علوم نوین پزشکی نانو پزشکی


چکیده مقاله:

در این مقاله، یک نقطه کوانتومی کروی جدید برای افزایش و مدیریت پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم اثر الکترو اپتیک مربعی پیشنهاد شده‌است. این نانوساختار شامل پوسته نقص احاطه شده توسط دو چاه پتانسیل هست. اندازه نقطه کوانتومی، ضخامت، موقعیت و پتانسیل پوسته‌ی نقص تاثیر زیادی روی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم دارند. با حل عددی معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم محاسبه شد. نتایج نشان می‌دهند با افزایش اندازه نقطه‌ی کوانتومی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش می‌یابد. همچنین با افزایش ضخامت پوسته‌ی نقص پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش و طول موج تشدید انتقال به سرخ پیدا می‌کند. بیشترین مقدار پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم وقتی قابل حصول هست که در وضعیت متقارن موقعیت پوسته‌ی نقص، پتانسیل نقص برابر پتانسیل پله شود.


Article's English abstract:

In this paper, a new spherical quantum dot is proposed to management and enhancement of third order nonlinear optical susceptibility of quadratic electro optic effect. This nanostructure is containing defective shell surrounding with two well. The size of quantum dot, thickness, position and potential of defect have a significant effect on third order optical susceptibility. By numerically solving of Schrödinger equation in the effective mass approximation the third order nonlinear optical susceptibility were calculated. The results are shown that with increasing of dot size the third order nonlinear optical susceptibility is increased. Also, with increasing of defect shell thickness the third order nonlinear optical susceptibility is increased and resonance wavelength is red shifted. The most value of third order optical susceptibility is available when in the symmetric condition of defect position, the defect potential becomes equal to the barrier potential.


کلید واژگان:
اثر الکترواپتیک مربعی، پذیرفتاری نوری، نقص، نقطه کوانتومی

English Keywords:
Quadratic Electro-Optic Effect, Optical Susceptibility, Defect, Quantum Dot

منابع:

English References:
[1] A. Rahmani, A. Rostami, H. Rasooli-Saghai, and M. Moravvej-Farshi, “Ultrafast GaN/AlN Modulator Based on Quantum Dot for Terabit All-Optical Communication,” Optik, vol. 125, pp. 3844-3851, 2014. [2] G.F. Yang, Q. Zhang, J. Wang, Y.N. Lu, P. Chen, Z.L. Wu, S.M. Gao, and G.Q. Chen, “InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on Selectively Grown Gan Microfacets and the Applications for Phosphor-Free White Light-Emitting Diodes,” Reviews in Physics, vol. 1, pp. 101-119, 2016. [3] A. Valizadeh, H. Mikaeili, M. Samiei, S.M. Farkhani, N. Zarghami, M. Kouhi, A. Akbarzadeh, and S. Davaran, “Quantum Dots: Synthesis, Bioapplications, and Toxicity,” Nanoscale research letters, vol. 7, pp. 1-14, 2012. [4] S. Strite, and H. Morkoç, “GaN, AlN, and InN: A Review,” Journal of Vacuum Science



فایل مقاله
تعداد بازدید: 685
تعداد دریافت فایل مقاله : 13