فهرست

تهیه و مشخصه یابی لایه نازک اکسیدروی با ناخالصی ایندیم به عنوان مولد جریان

نشریه: سال اول-شماره4-زمستان1393 - مقاله 2   صفحات :  211 تا 216



مولفین:
ساناز علمداری
مرتضی ساسانی قمصری
بابک عفافی
محمدحسین مجلس آرا


چکیده مقاله:

در این پژوهش به روش سل-ژل، سل‌های با غلظت بالای اکسیدروی، همراه با ناخالصی ایندیم با غلظت‌های بین 1 تا 3 درصد اتمی تهیه و سپس تغییرات پهنای گاف انرژی و خواص نوری آن‌ها مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. تمامی نمونه‌ها از شفافیت اپتیکی بیش از 90 درصد در طول موج‌های بین 400 تا 800 نانومتر برخوردارند. در ادامه لایه نازک IZO به روش لایه‌نشانی غوطه‌وری تهیه شد و خواص ترموالکتریکی آن توسط آزمایش اثر هال و سی‌بک مورد مشخصه‌یابی قرار گرفت. نتایج نشان دادند این لایه دارای خواص منحصر به فرد ترموالکتریکی است و می‌تواند گزینه‌ی مناسبی برای کاربردهای اپتوالکترونیکی، به عنوان مولد جریان باشد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نمونه لایه‌ی نازک IZO سایز متوسط دانه را حدود 40 نانومتر نشان داد.


Article's English abstract:

In this study, highly concentrated In doped ZnO (IZO) sols (1-3% at) were prepared by sol-gel method. Optical band gap energy and transmission of synthesized sols were studied. Experimental results showed that all the samples exhibit high transmittance (>90%) in the wavelength range of 400 to 800 nm. Dip coating technique was used to prepare IZO thin fims and their thermoelectric properties were characterized by Hall Effct and Seeback measurement. Unique thermoelectric properties were observed for IZO 2at%, which is made it as a good candidate for optoelectronic applications and power generation. SEM image of IZO thin fim showed an average grain size of about 40 nm.


کلید واژگان:
سل-ژل، اکسیدروی با ناخالصی ایندیم، فیلم نانو ساختار، لایه‌نشانی غوطه وری، گاف انرژی

English Keywords:
Sol-gel, ZnO:In, Nanostructured Thn Film, Dip Coating, Band Gap

منابع:


فایل مقاله
تعداد بازدید: 1956
تعداد دریافت فایل مقاله : 109



طراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورکطراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورک