انجمن نانوفناوری ایران نانومقیاس 2423-5628 4 4 2018 01 21 مقایسه خواص اپتوالکترونیکی لایه های نانوساختار ITO و In2O3 ،SnO جهت حسگری اتانول 321 330 732592 FA نسرین جمال پور گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد محسن قاسمی گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد ویشتاسب سلیمانیان گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد Journal Article چکیده:<br>90% با استفاده از روش تبخیر حرارتی روی زیر In2O3 +10% SnO2 )ITO( و SnO2 ،In2O در این مقاله لایههای نازک 3<br>0/1 انتخاب شد. خواص nm/s 220 و nm لایههای شیشه انباشت شدند. ضخامت و آهنگ انباشت برای همه نمونهها به ترتیب<br>اپتیکی لایهها در دمای بازپخت ℃ 300 مورد بررسی قرار گرفت. در این مطالعه همه نمونههای بازپخت شده عبور بالایی در<br>نشان داد. ضرایب شکست نمونههای مختلف SnO طیف نور مرئی از خود نشان دادند. بیشترین عبور (% 91 ( را لایه بازپختی 2<br>خواص فیزیکی In2O به 3 SnO 1 به دست آمد. همچنین با افزودن ناخالصی 2 / 1 تا 92 / در طول موج 550 نانومتر در محدوده 88<br>دارای ساختار بس بلورین ITO و In2O این لایهها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج طیف پراش ایکس نشان میدهد لایههای 3<br>نسبت به ITO و In2O3 ،SnO بوده و در ساختار مکعبی متبلور میشوند. در نهایت به منظور مقایسه حساسیت لایههای 2<br>در SnO آشکارسازی بخار اتانول، به عنوان یکی از کاربرد مواد نیمرسانای شفاف پرداخته شده است. نتایج، حساسیت بالای 2<br>را برای آشکارسازی بخار اتانول نشان میدهند. https://nanomeghyas.ir/article_732592_4b2eaba28f927df94ec5904e73d0cbc8.pdf