TY - JOUR ID - 248941 TI - بهبود مشخصه های الکتریکی ترانزیستور MESFET با اعمال تغییرات ساختاری JO - نانومقیاس JA - NS LA - fa SN - AU - رضوی, سید محمد AU - دهقانی, زهرا AU - شاکری, علی AD - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه نیشابور AD - گروه فیزیک، دانشگاه نیشابور AD - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه نیشابور Y1 - 2021 PY - 2021 VL - 8 IS - 4 SP - 104 EP - 111 KW - ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه‌هادی KW - جریان درین KW - ولتاژ شکست KW - ولتاژ آستانه KW - خازن گیت DO - N2 - در این مقاله، یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه­هادی کربید سیلیسیم ارائه می­شود. در ساختار پیشنهادی قسمت بالای کانال در زیر گیت از نیم­رسانا با چگالی ناخالصی خیلی کم و در کف کانال از نیم­رسانا با چگالی ناخالصی بالا استفاده شده است. مهمترین مشخصه­ های الکتریکی ترانزیستور پیشنهادی از قبیل ولتاژ شکست، جریان درین، ولتاژ آستانه، میدان الکتریکی و خازن گیت شبیه­سازی و با این مشخصه­ها در ترانزیستور مرسوم مقایسه شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، ساختار پیشنهادی باعث کم شدن بیشینه­ی میدان الکتریکی در کانال و در نتیجه افزایش ولتاژ شکست از 127 ولت به 136.5 ولت نسبت به ساختار مرسوم می ­شود. همچنین، ساختار جدید باعث افزایش 30 درصدی جریان اشباع درین نسبت به ساختار اولیه می­ شود. چگالی ناخالصی بالا در کف کانال باعث شیفت منفی در ولتاژ آستانه در ترانزیستور ارائه شده می ­شود. با توجه به نتایج به­دست آمده و افزایش جریان درین و ولتاژ شکست، ترانزیستور پیشنهادی می ­تواند در کاربردهای با توان بالاتر مورد استفاده قرار گیرد. UR - https://nanomeghyas.ir/article_248941.html L1 - https://nanomeghyas.ir/article_248941_e66a7a4b2fe23ea656715c9655ad7585.pdf ER -