TY - JOUR ID - 244817 TI - تحلیل و شبیه سازی ترابرد در نانو ساختارهای تک لایه های TiS3 JO - نانومقیاس JA - NS LA - fa SN - AU - واعظ زاده, مهدی AU - فیروزخانی, امیرحسین AU - برهمن, مسعود AD - گروه فیزیک ماده چگال، دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران AD - گروه ماده چگال، دانشکده، فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ، تهران AD - گروه مهندسی مخابرات و الکترونیک، دانشکده مهندس برق و کامپیوتر، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته، کرمان Y1 - 2021 PY - 2021 VL - 8 IS - 2 SP - 59 EP - 68 KW - ترابرد KW - PDOS KW - مقاومت منفی KW - کانال نیمه رسانا KW - جریان بالیستیک DO - N2 - با کمک روش تابعی چگالی همراه با روش نامتعادل تابع گرین، ترابرد در نانوساختارهای تک لایهTiS3مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، 13 یاخته ساختار به عنوان کانال در اتصال با الکترودهای طلا، به عنوان اتصالات الکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شبیه­سازی صحیح اربیتال های d در این ساختار، از تقریب هوبارد بهره­برداری شد. منحنی جریان ولتاژ این ساختار تا ولتاژ V 2 مورد بررسی قرار گرفت و نشان داده شد که با افزایش ولتاژ، نسبت به سد پتانسیل ایجاد شده میان الکترود و کانال، جریان روند صعودی داشته و تا V 6/1 این روند ادامه می­یابد. در بازه  V6/1 تا  V8/1 مقاومت منفی در این ساختار مشاهده می­شود. به منظور یافتن دلایل این رویداد، چگالی حالات منطقه­ای مورد بررسی قرار گرفت. از چگالی حالات، نشان داده شد مقدار سد پتانسیل الکترود و کانال به چه میزان بوده و همچنین، نشان داده شد که کیفیت مسیرهای انتقال حامل­ها در بازه مقاومت منفی کاهش یافته و همین دلیل این رخداد در منحنی جریان ولتاژ است.  UR - https://nanomeghyas.ir/article_244817.html L1 - https://nanomeghyas.ir/article_244817_37890b6c01f46f45ecba7782c1f6af33.pdf ER -