@article { author = {Gordi, M. and Moravvej-Farshi, M. K.}, title = {Multiple Exciton Generation Process in Silicon-Germanium Composite Nanostructures}, journal = {Nanoscale}, volume = {5}, number = {2}, pages = {169-177}, year = {2021}, publisher = {}, issn = {2423-5628}, eissn = {2423-5628}, doi = {}, abstract = {}, keywords = {Multiple Exciton generation,MEG quantum probability. Silicon-Germanium Composite Nanostructures}, title_fa = {فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکان-ژرمانیوم}, abstract_fa = {در فرآیند تکثیر چند اکسیتون، جذب یک فوتون در شرایط معین می‌تواند به تولید بیش از یک اکسیتون منجر شود و در نتیجه بازده افزاره‌ی جاذب نور را افزایش دهد. در این نوشتار با استفاده از روشی بس ذره ای، نتایج حاصل از شبیه‌سازی فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکان-ژرمانیوم ارائه می‌شود. نتایج شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهند افزایش تعداد اتم‌های سیلیکان در نانوساختار باعث افزایش آستانه‌ی تکثیرِ بیش از یک اکسیتون و نیز افزایش بیشنه‌ی جذب نوری می‌شود.}, keywords_fa = {تکثیر چند اکسیتون,احتمال کوانتومی MEG,نانوساختارهای ترکیبی سیلیکن-ژرمانیوم}, url = {https://nanomeghyas.ir/article_46503.html}, eprint = {https://nanomeghyas.ir/article_46503_82036997789c6f9223e46fa6e8517ce0.pdf} }