@article { author = {Lazemi, M. and Asgari, A.}, title = {Investigation of CdSeQuantum-dot-sensitized Silicon Solar Cell Characteristics by Means of FDTD Method}, journal = {Nanoscale}, volume = {3}, number = {4}, pages = {-}, year = {2016}, publisher = {}, issn = {2423-5628}, eissn = {2423-5628}, doi = {}, abstract = {The sun emits ultraviolet UV, visible and infrared light, however silicon-based solar cells mainly absorb visible light. The employing of the quantum dots QDs is a way to increasing the efficiency of the solar cells. CdSe QDs absorb UV light and emit visible light, thus high-energy photons are converting to low-energy photons. In this paper, we simulated the characteristics of a quantum dot solar cell by means of FDTD method. The employing of the CdSe QDs reduced the surface reflectance and enhanced short-circuit current density and generation rate. The enhancement of PCE is 23.88 comparing to solar cell without QDs.}, keywords = {Power Conversion Efficiency,FDTD Method,Silicon Solar Cell,CdSe Quantum Dots}, title_fa = {بررسی مشخصه‌های سلول خورشیدی سیلیکونی حساس‌شده توسط نقاط کوانتومی CdSe با روش FDTD}, abstract_fa = {خورشید نور فرابنفش، مرئی و مادون قرمز را گسیل می‌کند، اما سلول های خورشیدی سیلیکونی به صورت عمده نور مرئی را جذب می کنند. استفاده از نقاط کوانتومی روشی برای افزایش بازده تبدیل توان سلول‌های خورشیدی است. نقاط کوانتومی CdSe نور فرابنفش را جذب و نور مرئی را گسیل می‌کنند، بنابراین فوتون‌های پرانرژی تبدیل به فوتون‌های کم‌انرژی میشوند. در این مقاله با استفاده از روش FDTD مشخصه‌های یک سلول خورشیدی نقطه کوانتومی را شبیه ‌سازی کردیم. به کار بردن نقاط کوانتومی CdSe بازتاب سطحی را کاهش و چگالی جریان مدار-کوتاه و نرخ تولید را افزایش داد. افزایش بازده تبدیل توان در مقایسه با سلول خورشیدی بدون نقطه کوانتومی 23،88 بدست آمد.}, keywords_fa = {بازده تبدیل توان,روش FDTD,سلول خورشیدی سیلیکونی,نقاط کوانتومی CdSe}, url = {https://nanomeghyas.ir/article_46491.html}, eprint = {https://nanomeghyas.ir/article_46491_1d30a6500c2c1c6dee00bdbeafad4333.pdf} }